MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被大范围的应用于各种电源应用和电力线路中。...

  电路设计和EMC设计的关键第4篇 产品规格书（1）半导体集成电路产品规格书规格书中的关键点和EMC相关的内容第4篇是关于半导体集成电路的产品规格书相关的内容。...

  上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电...

  Arduino平台的设计非常灵活，使用Uno等单个开发板就可以创建出无数项目。但是，专为执行特定任务而设计的专用板对某些项目来说尤其有用。为了展示这一点，我们将用LilyPad MP3（一种变体Ar...

  上一篇文章中，粗略地介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细的介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。...

  本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。...

  SPICE模型是一种数字文件（文本格式），用这种模型，不用实际测试LSI也能够最终靠在计算机上进行电路分析（仿真）来获得同等的电气特性。...

  在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。...

  从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被大范围的应用于各种电源应用和电源线路中...

  通过使用开关稳压器，可以有实际效果的减少电路发热以节约能耗。此外，开关稳压器有助于减小散热器尺寸，从而能够制作出更紧凑的电路以及发热量更少的电源电路。...

  全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大幅度的降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。...

  使用Arduinos和Raspberry Pis控制LED和电机时，您需要用包含电阻和晶体管的驱动电路。...

  继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家探索全SiC功率模块具体是怎样的产品，都有哪些...

  本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情...

  关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时，警报输出（......

  本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望能够通过这些介绍能帮大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。...